BYS24-45 Schottky Doppel Diode Schottky Doppel Diode T0220 Kathoder Mitte TO220 Einsatz bis 45V Strom 10A = 2x5A Ifavm / Ifsm = 120A ( 10ms ) Durchlassspannung 0,55V
BYX55-600 Diode bis 600V 1,2A SOD18 Gleichrichterdiode
BYX83 Diode bis 400V 2A Peak 10A kurzfristig ** solange Vorrat reicht !
CA3028A TO99 IC Bausein RF Amplifier Autodyne Converter IF Ampflifier, Limiter. Operating Frequenz bis 100Mhz solange Vorrat reicht Ersatzteil
CA3065 IF Amplifier-Limiter FM Detector Electronic attentuator, Audio Driver ** solange Vorrat reicht !
CA3140 DIP8 IC OP AMP 1-fach Operationsverstärker OP AMP BIMOS Operationsverstärker MOSFET Input Bipolar Spannungsversorgung +/-18V Gehäuse DIP8 Pinlyout siehe weitere Bilder
CA3160AT TO99 IC OP AMP 1-fach Operationsverstärker BIMOS CA3160AT TO99 IC Metallgehäuse BIMOS OPAMP Besonderheit MOSFET Input / CMOS Output und Temperatureinsatz = -55 to 125°C 1-fach Operationsverstärker Gehäuse TO99 Pinlayout siehe weitere Bilder
CA3162E DIP16 IC AD-Converter 3-Digit BCD Display CA3162E DIP16 IC AD-Converter 3-Digit BCD Display ( Pinlayout etc. siehe weitere Bilder ) Dual Slope A/D Conversion Multiplexed BCD Display Ultra Stable Internal Band Gap Voltage Reference Capable of Reading 99mV Below Ground with Single Supply Differential Input Internal Timing - No External Clock Required Choice of Low Speed (4Hz) or High Speed (96Hz) Conversion Rate “Hold” Inhibits Conversion but Maintains Delay Overrange Indication “EEE” for Reading Greater than +999mV, “-” for Reading More Negative than -99mV When Used With CA3161 DC Supply Voltage (Between Pins 7 and 14) . . . . . . +7V Input Voltage (Pin 10 or 11 to Ground). . . . . . . . . . . +/-15V Supply Current, I+ 17mA ** solange Vorrat reicht ! abgekündigts Ersatzteil
CD4000 HCF4000 HEF4000 CMOS IC DIP14 NOR Gate Restbestand solange Vorrat reicht - gemischte Hersteller CD4000 HCF4000 HEF4000
4009 CMOS IC DIP16 HEX BUFFERS CONVERTERS
CFY19-18 N-FET Transistor GaAs FET / GaAs N-FET Transistor preferred for use in microwave applications / MICROWAVE RADIO Transistor Rauscharm hoher Verstärkung Ionenimplantierte Planarstruktur vergoldete Metallisierung Für Oszillatoren / Für Antennenverstärker von UHF bis 6 GHz Techniche Daten ( max ) Vdc : 5Volt / Vgs : -05...+0,5V / Ids : 80-100mA / Ptot: 300mW / F: bis 6Ghz / Ga <9,5dB Gehäuse : Cerec-XF solange Vorrat reicht ( abgekündigtes ERsatzteil )
CNY17-3 Optokoppler Universal Type DIP6 Optokoppler Universal Type ersetzt extrem viele alte Typen mit selbem Pinlayout Gehäuse DIP6 Eingang LED VF Forward voltage = 1,2...1,65V Eingang LED IF Forwad Current 60mA ( 100mW ) Eingang LED VR Reverse voltage 5V DC Turn-on time = 3us / Turn-off time = 2,3us / Cut-off frequency 250Khz Ausgang Transistor VCE = 70V Ausgang Transistor IC 50mA max 100mA 1ms Ausgang Transistor Leistung 150mW Isolation test voltage 5000V RMS / VIORM = 850V DIP6 Industry standard dual-in-line package CTR bei 1mA = 70% / CTR bei IF 10mA = 100...200% Pinlayout siehe weitere Bilder ZUSATZINFO ZUR CNY17-X Serie CTR war wie folgt CTR = CURRENT TRANSFER RATIO CNY17-1 = CTR = 30% ( Basis hierzu = LED IF 1mA ) CNY17-2 = CTR = 45% ( Basis hierzu = LED IF 1mA ) CNY17-3 = CTR = 70% ( Basis hierzu = LED IF 1mA ) CNY17-4 = CTR = 90% ( Basis hierzu = LED IF 1mA ) ALTERNATIV BEI CNY17-1 = CTR = 40......80% ( Basis hierzu = LED IF 10mA ) CNY17-2 = CTR = 63....125% ( Basis hierzu = LED IF 10mA ) CNY17-3 = CTR = 100...200% ( Basis hierzu = LED IF 10mA ) CNY17-4 = CTR = 160...320% ( Basis hierzu = LED IF 10mA )
CNY64-3 Optokoppler Schutzklasse II Technische Daten Optokoppler DIP-4 Circuits for safe protective separation against electrical shock according to safety class II DIN EN 60747-5-2 / DIN EN 60747-5-5 pending, table 2, IEC60335, IEC60601, IEC60065, Medical equipmentsuitable for: Switch-mode power supplies, line receiver, computer peripheral interface, microprocessor system interface...... Verstärkungsfaktor = 50-300 % CTR ( CTI = >200 ) Rated impulse voltage (transient overvoltage) Viotm 8000V Peak Isolationsspannung getestet bis 2,8KV = 2800V Vpd Peak Rated isolation voltage (RMS includes DC) VIOWM = 1000 VRMS (1450 V peak) Operating Temperature -55°C .... +85°C LED des Optokopplers ( typische Ansteuerung ) Vorwärtsspannung = 1,25V typisch ( max 1,5V ) Forward Voltage LED Vorwärtsstrom If = 75mA ( IF ) Ifsm kurzfristig 120mA (10us 1500mA) Reverse Voltage Vr 5,0V Power Dissipation 120mW Capazität: 50pF ( VR = 0V 1Mhz ) Transistor Ausgang ( NPN ) Collectorstrom max. = 50mA ( Ic max ) Peak kurzfristig 100mA Collector-Emitter-Spannung max = 30V ( bis zu max 32V DC ) Leistung / Power Dissipation = 130mW Peak 250mW Cut-off frequency 110Khz Turn-on time = Ton = 5us 100R 5V Turn-off time = Toff = 3,0us 100R 5V Fall time = Tf = 2,7us Delay time = Td = 2,6us RoHs Ja / DIN EN60747-5-2 Abmessungen: siehe Datenblatt oder weitere Bilder L: 12,8mm / B: 7,2mm / H: 6,1mm mit Pins 9,1mm Rastermass 5,08mm
CNY65 Optokoppler 4pol DIP4 TFK Led mit NPN Transistor ohne Basis** solange Vorrat reicht !
Lichtschranke Optokoppler CNY70 Typischer Einsatz in Schaltugen für Reflexion-Lichtschranken Technische Daten Optokoppler LED Eingang LED des Optokopplers ( typische Ansteuerung ) Vorwärtsspannung = 1,25V typisch ( max 1,6V ) Forward VoltageLED Vorwärtsstrom If = 50mA ( IF ) max IFSM 3A 10us Reverse Voltage: 5V Power Dissipation 100mWoperating wavelength is 950nm Transistor Ausgang ( NPN )VCE = max 32V / Leistung 100mW / IC max bis zu 50mA Isolationsspannung bis 2,5KV = 2500VDC Operating Temperature -55°C .... +100°C Pinlayout siehe weitere Bilder und Datenblatt
CNY74-2 Optokoppler DIP8 Doppelkoppler ( Ersetzt auch MCT6 / PC829 / ILD74 u.a. ) Technische Daten Optokoppler ( Pinlayout siehe auch weitere Bilder ) LED Eingang LED des Optokopplers ( typische Ansteuerung ) Vorwärtsspannung = 1,25V typisch ( max 1,6V ) Forward VoltageLED Vorwärtsstrom If = 60mA ( IF ) max 60mA Reverse Voltage: 6V Power Dissipation 100mW Transistor Ausgang ( NPN )VCE = max 70V / Leistung 250mW / IC max bis zu 50mA ( Peak 100mA ) Isolationsspannung bis 2,5KV = 2500VDC Operating Temperature -55°C .... +100°C
CQY17 Infraot Diode Emitter Infrarotdiode im vergoldeten Metallgehäuse Der Klassiker unter den Infrarotdioden seit Jahrzehnten Einsatz: Lichtschranken, Maschinenbau, Steuerungen etc. Mit nur wenigen Bauteilen ist eine Lichtschranke gebaut ! Auch ideal für Schule Experimente usw. Infrarot LED GaAs Technische Daten: Betrieb typisch mit VF = 1,70Volt / IF 20-80mA Wellenlänge Infraror = 950nm ( Infrarot ) Geschwindigkeit: 1000ns ( sehr schnell und genau ) Weitere Daten: VR max 3,0Volt / IF max = 100mA / Ptot = 170mW / Tamb = 25°C Linse: NS331B / Halbleitermaterial GaAS / Gehäuse Metall vergoldet Abmessungen: Durchmesser: 4,7mm / Körpus Höhe: 6,0mm mit Linse / Drähte ca 12mm Solange Vorrat reicht
CQY80N 1fach Optokoppler DIP6 Technische Daten Optokoppler LED Eingang LED des Optokopplers ( typische Ansteuerung ) Vorwärtsspannung = 1,25V typisch ( max 1,6V ) Forward VoltageLED Vorwärtsstrom If = 60mA ( IF ) max 1,5A IFSM 10us Reverse Voltage: 5V Power Dissipation 100mWCTR >50% Transistor Ausgang ( NPN )VCE = max 32V / Leistung 150mW / IC max bis zu 50mA ( Peak 100mA ) Isolationsspannung bis 1600V = VIOWM = 500V rms ( 848V Peak ) Operating Temperature -55°C .... +100°C Ersatzteil solange Vorrat reicht ! Pinlayout siehe weitere Bilder
CS16-06go2 Thyristor SCR Schraubthyristor bis max 600V bis max. 30A I-Gate: 25mA Einsatz bis 600V Belastbarkeit: max 30A Schraubgehäuse M6 (Durchmesser Gewinde 5,7mm) Anode am Gehäuse ideal für Reparatur oder Ersatz von Ladeschaltungen, Motorensteuerungen, Experimente usw. ersetzt auch KT704 und viele mehr
Schraubthyristor max. 800V 60A Itrms: 120A Igate: 100mA Schraubgehäuse 6,35mm 28UNF Durchmesser Gewinde 7,2mm SW: 17 Anode am Gehäuse Ideal für Reparatur oder Ersatz von Ladeschaltungen, Motorensteuerungen, Experimente usw. Abmessungen siehe unter Abbildung 2 non RoHs ** solange Vorrat reicht !
Schraubthyristor max. 600V max. 8A / Igate: 15mA Schraubgehäuse M5 Anode am Gehäuse Ideal für Reparatur oder Ersatz von Ladeschaltungen, Motorensteuerungen, Experimente usw. Abmessungen siehe Abbildung 2 abgekündigtes Ersatzteil non RoHs ** solange Vorrat reicht !
NEC D8279C-2 IC-Baustein DIP40 40pol NEC Keyboard Display Interface 40pin IC-Baustein 8279C-2 = D8279C = UPD8279C-2 ** solange Vorrat reicht !
DAC807 LCN Ersatzteil solange Vorrat reicht!
DAC800 = DAC0800 = DAC800-LCJ Selbe Funktion LCJ = Endung = Temp.Einsatzbereich LCJ = 0...+70°C bzw. LJ ohne C = -55+125°C ( siehe auch ewitere Bilder ) IC-Baustein DIP16 Keramikgehäuse 8-Bit Digital-to-Analog Converters solange Vorrat reicht ! Lieferung = DAC800-LCJ = Temp.Bereich 0-+70°C
DG301A TTL Compatible CMOS Analog Switches DG301A-CK TTL Compatible CMOS Analog Switches switches will operate with +/-5V to +/-15V power supplies. Monolithic Low-Power CMOS Latchup Proof Construction Fully Compatible 2nd Source Low On-Resistance, <50 Ohm Fast Switching Time V+ to V- Analog Signal Range Single-Supply Capability 0°C to +70°C 14 Lead CERDIP Obsolet Solange Vorrat reicht Ideal als Ersatzteil Pinlayout / Schaltplan siehe auch weitere Bilder !
DIAC Triggerdiode z.B. für SCR Thyristoransteuerung Diac = Triggerdiode Vbo=33V / Vbomax.: 43V / Ifrm: +-2A / Ptot: 0,15W / Gehäuse: DO35 bedrahtet
DIL Gleichrichter bis 1A 700V im DIL IC Gehäuse DIP-Brücke. Typisches Ersatzteil wie auf vielen Platinen eingesetzt Gleichrichter im DIL Gehäuse + Bauform wie ein 6poliges IC DIP-Brücke Spannung bis max Vrrm: 800V Spannungseinsatz typisch bis 560VAC ( somiut auch 230VAC ) Vrms: 560V = Leistung: 1A = bis 1000mA Peak 1,5A Abmessungen wie ein 6pol DIL-IC siehe auch weitere Bilder Zeichnung L: 9mm / B: 6,2mm (mit Pins 7,8mm) / H: ca. 3,2mm RM passend in 6 oder 8pol. IC-Sockel Raster,aß RM: 5,08mm üblichst üblichste Belegung siehe auch weitere Bilder
Dioden Sortiment 120-teilig Universal Typen Inhalt / Menge: 120 St. Lieferumfang: Dioden und Brückengleichrichter / Universal Typen Lieferumfang: 2 x 110B2 ( 4pol Standard Gleichrichter bis 100V 1,5A ) 50 x 1N4007 ( Univ. Diode bis 1000V 1A DO41 ) 50 x 1N4148 ( Univ. Diode bis 75V 300mA 500mW VF 0,70V DO35 ) 14 x 1N5408 ( Univ. Diode bis 1000V 3A DO201 ) 4 x 6A6 ( Univ. Diode bis 600V 6A )
Inhalt: 120 Stück (0,07 € / 1 Stück)
DM9368N IC 16pol DIL National DC9342 ** solange Vorrat reicht !
93C06B1 EEPROM ser 32x8/16x16 ** solange Vorrat reicht !
EE24LC04B/P EEPROM ser 2,5V 2x256x8 DIP8 EEPROM ser 2,5V 512x8 DIP8
EF9365 P DIP40 Graphic Display Coprozessor ** solange Vorrat reicht !
Universal Einpressdiode mit 60A Peak 190A Einsatz bis 600V mit Anode am Draht Ersatzteil für Schweißgeräte, Ladegeräte, Laderegler, Gabelstapler, Plasma-Schweissgeräte, klassische ältere Schweißgeräte, Lichtmaschienen, Industriesteuerungen usw. Diese Sondertypn von Dioden ersetzen unter anderen auch BYY58-xxx , DSJ25-02, E1110, BYP53, BYP54, NORMA-25p .., DSL25-xx, HDIE35/02 HDIE35/03 HDIE35/07 usw. Kurzdaten : Einpressdiode mit 60A Dauerstrom und Peak max. 190A Einsatz für Schaltungen bis 600V Metallgehäuse DO201 mit Durchmesser 12,8mm ( 12,75mm ) Belegung : A = Anode am Draht = Anodenkontakt kann auch zur Ringöse gebogen und verlötet werden K = Kathode am Gehäuse Bitte weitere Bilder beachten ! Tecnische Daten : Silicon Hochtemperatur-Diode Einpressdiode Anode am Draht / Kathode am Gehäuse VRRM = Spitzensperrspannung: 600V VRSM = Stossspitzensperrspannung 700V VF = Durchlass-Spannung <1,1Volt IFAV = Dauerstrom bis 60A IFRM = periodischer Spitzenstrom max Peak 190A IFSM = Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle = 450/500A Sperrschichttemp. min. -50 °C / Sperrschichttemp. max. 215 °C Wärmewiderstand Sperrschicht Gwhäuse = < 0,6KW Abmessungen: DM 12,75 mm Länge 28,5 mm Aufbau : Metall-Einpressgehäuse Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Maximaler Einpressdruck 4KN RoHs konform JA Dieses Dioden sind erhältlich wie folgt Bst Nr.: 9-541-00362 = Einpressdiode bis 60A Dauerleistung ( Peak 190A ) bis 600V Anode am Gehäuse Bst Nr.: 9-541-00363 = Einpressdiode bis 60A Dauerleistung ( Peak 190A ) bis 600V Kathode am Gehäuse
Universal Einpressdiode mit 60A Peak 190A Einsatz bis 600V mit Kathode am Draht Ersatzteil für Schweißgeräte, Ladegeräte, Laderegler, Gabelstapler, Plasma-Schweissgeräte, klassische ältere Schweißgeräte, Lichtmaschienen, Industriesteuerungen usw. Diese Sondertypn von Dioden ersetzen unter anderen auch BYY57-xxx , DSJ25-02, E1110, BYP53, BYP54, NORMA-25p .., DSL25-xx, HDE35/02, HDE3503, HDE3507 usw. Kurzdaten : Einpressdiode mit 60A Dauerstrom und Peak max. 190A Einsatz für Schaltungen bis 600V Metallgehäuse DO201 mit Durchmesser 12,8mm ( 12,75mm ) Belegung : K = Kathode am Draht = Kathodenkontakt kann auch zur Ringöse gebogen und verlötet werden A = KAnode am Gehäuse Bitte weitere Bilder beachten ! Tecnische Daten : Silicon Hochtemperatur-Diode Einpressdiode Kathode am Draht / Anode am Gehäuse VRRM = Spitzensperrspannung: 600V VRSM = Stossspitzensperrspannung 700V VF = Durchlass-Spannung <1,1Volt IFAV = Dauerstrom bis 60A IFRM = periodischer Spitzenstrom max Peak 190A IFSM = Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle = 450/500A Sperrschichttemp. min. -50 °C / Sperrschichttemp. max. 215 °C Wärmewiderstand Sperrschicht Gwhäuse = < 0,6KW Abmessungen: DM 12,75 mm Länge 28,5 mm Aufbau : Metall-Einpressgehäuse Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Maximaler Einpressdruck 4KN RoHs konform JA Dieses Dioden sind erhältlich wie folgt Bst Nr.: 9-541-00362 = Einpressdiode bis 60A Dauerleistung ( Peak 190A ) bis 600V Anode am Gehäuse Bst Nr.: 9-541-00363 = Einpressdiode bis 60A Dauerleistung ( Peak 190A ) bis 600V Kathode am Gehäuse
UV EPROM M27256-2FI 256Kbit UV Eprom 27256 NMOS 32Kx8 2F1 ST DIP28 OTP-ROM = PROMs DIL28 / DIP28 Gehäuse ( Keramikgehäuse ) Fast Access Time 170-200ns Single 5V Supply Voltage TTL Compatibel During Read an Program Programming Voltage 12V Löschbar mittels UV-Licht Weitere Details siehe auch weitere Bilder solange Vorrat reicht !
EPROM 27C256-200 32Kx8 ** solange Vorrat reicht !
ER2810IR IC Baustein DIP24 breit Microchip ROM 8192Bit abgekündigtes Ersatzteil solange Vorrat reicht Non RoHs / Datecode 83+
ER5901 GI Taiwan EEPROM ER5901 1K N-CHANNEL (128 X 8 BIT) 24PIN DIP Breit abgekündigtes Ersatzteil solange Vorrat reicht GI Taiwan Catecode 8538
ESM740 Thyristor SCR 300V 3A Igt 50mA
Photowiderstand Nennwert 2-5-kOhm - Dunkelwert 1-MOhm Fotowiderstand PGM1200-MP Technische Daten Photoresistor: Der wohl am meisten genutzte Fotowiderstand an Schulen Photowiederstand Photocells im TO46 Metallgehäuse mit Glas Anwendungsbereich: Light Sensing Applications ( Indoor oder Outdoor durch Glasfront ) Temperatur Einsatzbereich -30...+70°C Spektralbereich: 560nm typisch Nennwert: 2-5 kohm bei ca. 10Lux / bei Dunkelheit ca. 1Mohm Spannunseinsatz bis Vmax 250V DC ( Einsatz typisch 5V 12V 24V .... ) Leistung Pmax 250mW Zeiten tan 40ms / tab 30 ms Anschlüsse: bedrahtet Abmessungen: Aussendurchmesser: 12,6mm mit Rand: 13,8mm Glas-DM 10mm Bauhöhe Kprpus ca. 5,5mm / Pin RM 9,0mm Weitere Details siehe weitere Bilder Einer der am meisten eingesetzten Photowiderstände für Schule, Experimente und Hobby
FZH 105A Abgekündigtes Ersatzteil für Steuerungen usw. wird seit 1992 nicht mehr produziert ! ** solange Vorrat reicht !
FZH 155 Abgekündigtes Ersatzteil für Steuerungen usw. wird seit 1992 nicht mehr produziert ! ** solange Vorrat reicht !
FZH 165B Abgekündigtes Ersatzteil für Steuerungen usw. wird seit 1992 nicht mehr produziert ! ** solange Vorrat reicht !
FZH 185 Abgekündigtes Ersatzteil für Steuerungen usw. wird seit 1992 nicht mehr produziert ! ** solange Vorrat reicht !
FZH 215 Abgekündigtes Ersatzteil für Steuerungen usw. wird seit 1992 nicht mehr produziert ! ** solange Vorrat reicht !