BPY62-4 NPN Fototransistor NPN Phototransistor

BPY62 NPN Phototransistor Fototransistor im TO18 Gehäuse

• NPN Fototransistor universell verwendbar BPY62-4
• Typische Anwendung Lichtschranken .... 
• Geeignet für Anwendungen im Bereich von 420nm bis 1130nm
• Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 850nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform TO18) mit Basisanschluss,
• Spectralbereich: (SMAX) 850nm ( 420...1130nm )
• Vce = 50V max. / Veb = 7V 
• Dunkelstrom: 5nA
• Collektorstrom Ic = 100mA max.: 200mA 10uS
• Leistung Ptot: 200mW
• HFE = Stromverstärkung: 420
• Öffnungswinkel = 16° / Halbwinkel: +/-8°
• Kapazität: Cce: 8pf 
• Anstiegszeit/Abfallzeit: 9us