BPW34 Fotodiode Photodiode Empfängerdiode

BPW34 Fotodiode mit einer sehr hohe Geschwindigkeit von 25ns und eine hochempfindliche Lichtfläche. 

Die Photodiode ist in einem Miniaturgehäuse untergebracht. Durch sein wasserklares Epoxidfenster ist die Photodiode empfindlich gegenüber sichtbare und infrarot Licht. Die große aktive Fläche kombiniert mit einem flachen Gehäuse ergibt eine hohe Empfindlichkeit bei einem großer Öffnungswinkel von 130°

Typischer Einsatzbereich:

• Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb im sichtbaren Lichtbereich
• Industrieelektronik, Steuerungstechnik ...
• Allgemein Messen / Steuern / Regeln 
• Allgemein Schule, Hobby, Experimente, Hell-Dunkelschaltungen, Lichtschranken usw.

Technische Daten: 

• IR-Fotodiode 850-900nm ( Range 400...1100nm) 
• Öffnungswinkel: 130° / Halbwinkel +/-65° 
• Bestrahlungsempfindliche Fläche 7,45qmm 
• Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche 2,73 x 2,73mm 
• hohe Lichtempfindlichkeit Fotoempfindlichkeit bei VR = 5V = 75nA/Lux 
• Sehr schnell 25ns 
• Durchlaßspannung 1,3V ( VF ) bei IF 100mA 
• Sperrspannung 32V 
• Reverse Voltage 60V max 
• Open Circuit Voltage 350-390mV Leerlaufspannung 
• Verlustleistung 150mW 
• Reverse Dark Current Iro nur 2nA 
• Diode Capacitance 25pf max 40pf 
• Short switching time (typ. 25 ns)
• Rise Time 100ns / Fall Time: 100ns  bei VR 10V 
• RoHS : konform
• Abmessungen: Länge: 4,65mm / Breite:4,3mm / Höhe: 1,2+0,6mm ( siehe weitere Bilder ) 
• Temperatureinsatzbereich: -40 ... +100 °C
• Anschluss siehe weitere Bilder