IXGH 25N90A IGBT Transistor N-Kanal 900V 50A 200W TO247AD

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Produktinformationen "IXGH 25N90A IGBT Transistor N-Kanal 900V 50A 200W TO247AD"

IXGH 25N90A IGBT Transistor N-Kanal 900V 50A 200W TO247AD 

  • IGBT N-Kanal Transistor 600V 23A 100W TO220AB
  • IBGT = Isulated Gate Bipolar Transistor = MOSIGBT 
  • VCES = Collector-to-Emitter Voltage = 900V 
  • IC 25°C = Continuous Collector Current = 50A 
  • IC 90°C = Continuous Collector Current = 25A 
  • ICM = Pulsed Collector Current 100A 
  • VCE sat = 3,5V 
  • VGE = Gate-to-Emitter Voltage +/-20V 
  • PD 25°C = Maximum Power Dissipation 200W 
  • TF = Current Fall Time = 1500ns 
  • Pinlayout siehe weitere Bilder 
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