CFY19-18 FET Transistor GaAs N-FET Transistor

CFY19-18 N-FET Transistor

• GaAs FET / GaAs N-FET Transistor
• preferred for use in microwave applications / MICROWAVE RADIO Transistor
• Rauscharm hoher Verstärkung Ionenimplantierte Planarstruktur vergoldete Metallisierung
• Für Oszillatoren / Für Antennenverstärker von UHF bis 6 GHz
• Techniche Daten ( max )
• Vdc : 5Volt / Vgs : -05...+0,5V / Ids : 80-100mA / Ptot: 300mW /
• F: bis 6Ghz / Ga <9,5dB
• Gehäuse : Cerec-XF
• solange Vorrat reicht ( abgekündigtes ERsatzteil )